多数载流子和少数载流子的区别主要体现在半导体中的数量、主导性以及激发和移动所需的能量这三个方面。

首先，从数量上来看，多数载流子的数量远超过少数载流子。在N型半导体中，多数载流子是电子，其浓度远远大于正离子（杂质）的浓度；而在P型半导体中，多数载流子是空穴，其浓度远大于负离子（杂质）的浓度。相反，少数载流子的浓度则远远小于多数载流子的浓度。

其次，在导电性方面，多数载流子在半导体中起主要的导电作用，它们主导了电荷的流动，对电流的贡献最大。而少数载流子虽然数量较少，但在某些情况下，例如在外部电场的作用下，也可以对电流产生一定的贡献。

最后，从激发和移动所需的能量来看，多数载流子在电子能带中能级较浅，因此易于激发和移动。而少数载流子则能级较深，需要较高的能量才能被激发和移动。

综上所述，多数载流子和少数载流子在半导体中的数量、导电性以及激发和移动所需的能量等方面存在明显的区别，这些区别使得它们在半导体器件的工作和性能中发挥着不同的作用。